ʻO ka umu hoʻoheheʻe sintering PJ-RSJ SiC

Hoʻolauna kumu hoʻohālike

PJ-RUa hoʻolālā ʻia ka umu hakahaka SJ no ka sintering o nā huahana SiC. Kūpono no ka sintering Reactive o nā huahana SiC. Me ka muffle Graphite e pale aku i ka haumia e ka Silica evaporate.

ʻO ka SiC Reaction sintering kahi hana densification kahi e hoʻokomo ʻia ai ka silicon wai reactive a i ʻole ka silicon alloy i loko o ke kino keramika porous i loaʻa ke kalapona e hana ai e hana i ka silicon carbide, a laila hui pū ʻia me nā ʻāpana silicon carbide mua e hoʻopiha i nā pores i koe i loko o ke kino.

E leka uila mai iā mākou

Nā kikoʻī huahana

Nā Lepili Huahana

Nā kikoʻī nui

Kōmike hoʻohālike		Ana o ka ʻāpana hana mm			Ka nui o ka ukana kg
Kōmike hoʻohālike		ka lōʻihi	ka laulā	kiʻekiʻe	Ka nui o ka ukana kg
PJ-RSJ	322	300	200	200	100
PJ-RSJ	633	600	300	300	200
PJ-RSJ	933	900	300	300	400
PJ-RSJ	1244	1200	400	400	600
PJ-RSJ	1855	1800	500	500	1000
PJ-RSJ	322	300	200	200	100
Ka mahana hana kiʻekiʻe loa:1800℃ Ka like ʻana o ka mahana:≤±5℃ ma 1300℃; ≤±10℃ ma 1600℃; ≤±20℃ ma luna o 1600℃ ʻO ka mīkini hoʻomaʻemaʻe hope loa:4.010^-1Pā; Ka piʻi ʻana o ke kaomi:≤0.67 Pa/h; Kaomi hoʻoluʻu kinoea:*<2 Pā.